Гетероструктурная наноэлектроника
Доксограф: Ковалев А.Н.
Название: Гетероструктурная наноэлектроника
Издательство: М.: Изд. Дом МИСиС
Година: 2009
Формат: PDF
Размер: 5 mb
Для сайта: MirKnig.com
Пособие посвящено анализу нового направления электроники – гетероструктурной наноэлектронике. Сие часть более масштабного направления, называемого нанотехнологией и охватывающего разработку полупроводниковых приборов и устройств субмикронных размеров. Даны упражнения реализации полевых и биполярных транзисторов на основе гетеросистем из материалов Ge/Si и AIIIBV с субмикронными размерами активных областей. Рассмотрены аппаратура формирования и условия получения гетероэпитаксиальных структур с квантовыми точками в системах Ge/Si и InAs/GaAs с учетом элементов самоорганизации близ эпитаксии. Интерес к самоупорядоченным наноструктурам обусловлен созданием фотоприемников и источников излучения в диапазоне длин волн 1,3…1,5 мкм.